好去除的胶_好去除的胶是什么胶

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盛美上海申请光刻胶剥离技术专利,提高了生产良率本申请涉及一种针对晶圆上芯片工艺的光刻胶剥离方法和系统。其中,该针对晶圆上芯片工艺的光刻胶剥离方法包括:对待进行光刻胶去除的晶圆进行润湿;控制待进行光刻胶去除的晶圆的转速在30RPM至200RPM范围内,并对润湿之后的待进行光刻胶去除的晶圆施加第一预设时间的兆声等会说。

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...治具专利,能有效防止石英腔体与光刻胶去除设备的腔体的内壁发生碰撞治具将待安装的石英腔体安装在光刻胶去除设备的腔体中;治具包括下盖、连接机构、上盖和握把;下盖和连接机构的一端可拆卸式连接;上盖和连接机构的另一端可拆卸式连接;握把设置在上盖远离连接机构的一侧;石英腔体固定在下盖和上盖之间,石英腔体的下端和下盖相配合,石英腔体的小发猫。

蓝箭电子申请溢胶去除工艺专利,冲洗后无残胶,残胶去除率高金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,佛山市蓝箭电子股份有限公司申请一项名为“一种溢胶去除工艺“公开号CN117531763A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本发明涉及半导体器件加工技术领域,具体公开了一种溢胶去除工艺,采用软化液将引线框架表面的溢胶浸好了吧!

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蓝箭电子申请封装件表面溢胶去除装置专利,提高了溢胶去除效率金融界2023年11月26日消息,据国家知识产权局公告,佛山市蓝箭电子股份有限公司申请一项名为“封装件表面溢胶去除装置”,公开号CN117103551A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明涉及半导体工艺技术领域,提供了封装件表面溢胶去除装置,通过上料机构实现封装件的自等会说。

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国林科技:公司电子级超纯臭氧气体发生器可被广泛用于光刻胶去除和...南方财经5月30日电,有投资者问,请问公司在光刻胶和光刻机方面有哪些技术和产品?国林科技在互动平台表示,公司电子级超纯臭氧气体发生器可产生高浓度、大流量、高压力的超洁净臭氧,臭氧在电子工业领域可被广泛用于形成CVD和ALD薄膜、氧化物生长、光刻胶去除和多种清洁应小发猫。

长鑫存储申请光刻胶的去除方法、半导体器件的形成方法及系统专利,...本公开实施例提供一种光刻胶的去除方法、半导体器件的形成方法及系统。其中,所述光刻胶的去除方法包括:获取经刻蚀处理后的半导体基底,所述半导体基底上形成有待去除的光刻胶层,所述光刻胶层的表层中包含在所述刻蚀处理过程中产生的副产物;对所述半导体基底进行灰化处理,以等会说。

三星申请光刻胶图案专利,实现完全去除具有缺陷的光刻胶图案三星电子株式会社申请一项名为“用于形成光刻胶图案的方法和用于在衬底上形成图案的方法”,公开号CN117133633A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,提供了一种形成光刻胶图案的方法,其中,可以通过对已经进行了全表面曝光的第一光刻胶图案进行显影来完全去除第一光刻胶等我继续说。

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...去除半导体衬底的边缘区域上的光刻胶膜或光刻胶图案的边缘球状物被配置为在半导体衬底上涂布光刻胶膜;曝光装置,被配置为将光照射到光刻胶膜上以形成光刻胶图案区域;显影系统,被配置为从光刻胶膜去除除了光刻胶图案区域以外的不必要的区域以形成光刻胶图案,所述显影系统包括湿式显影装置和干式显影装置,所述湿式显影装置被配置为使用显影等我继续说。

基蛋生物申请癌胚抗原定量免疫层析检测试剂卡专利,使得检测特异性...胶乳垫、NC膜及吸水纸;所述胶乳垫上设置有荧光标记的癌胚抗原单抗;所述NC膜上设置有去除FC段的癌胚抗原单克隆抗体及抗鼠IgG;所述去除FC段的癌胚抗原单克隆抗体通过柱层析方法获取。本发明相比于普通荧光免疫层析试剂,由于单克隆抗体被去除FC段,减少了异嗜性抗体引起的好了吧!

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兴欣新材:公司的N-羟乙基哌嗪等产品是光刻胶剥离液的重要成分【兴欣新材:公司的N-羟乙基哌嗪等产品是光刻胶剥离液的重要成分】财联社1月3日电,兴欣新材在互动平台表示,公司的N-羟乙基哌嗪、N,N-二甲基丙酰胺等产品是光刻胶剥离液的重要成分。在LCD和OLED面板制程中,用于清除面板上残留的光刻胶。

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